关健技术问题(需兼具):
1.超低介电常数＜2.5(传统的SiO2 ε约为410);
2.出色机械强度和成型性能,满足薄壁成型(如PTFE低介电常数只有2,但该材料无法注塑加工,故无法胜任);
3.出色的耐高温性能(器件的制造过程中需经历较高的加工温度,如金属互联线的成型就需要在400～450℃的高温条件下进行)；
4.出色的长期热老化性能(器件在工作时会散发较高热量)。
应用领域: 通讯产品
潜在客户: Inter、台积电、三星、华为
背景:
轻量薄型化、高性能化和多功能化是当前电子、通讯产品的最主要发展方向。在半导体领域，随着半导体制造工艺的进步，器件的特质尺寸大约每隔3年左右,减小为原料的0.7倍，同时晶圆尺寸逐渐增大。晶圆特征尺寸的大幅减少和晶圆尺寸的增加，是的单一晶圆上课容纳的晶体管数目急剧增加。
当器件的特征尺寸逐渐减小时即集成度不断提高时, 会引起电阻- 电容(RC) 延迟上升,从而出现信号传输延时、噪声干扰增强和功率损耗增大等一系列问题 , 这将极大限制器件的高速性能。降低RC延迟和功率损耗有两个途径, 一是降低导线电阻
R, 也就是用铜( 20℃时电阻率为11678μΩ·m)取代传统的铝( 20℃时电阻率为21655μΩ·m) 来制备导线, 另外一个同时也是更重要的是降低介质层带来的寄生电
容C。由于电容C正比于介电常数ε, 所以就需要开发新型、低成本以及具有良好性能的低介电常数(ε < 2.5) 材料来代替传统的SiO2 (ε约为410) 作介质层。
而对用于金属间的介电材料, 除了满足介电性能的要求外, 还必须具有较高的热稳定性和耐高温性能, 因为在器件的制造过程中需经历较高的加工温度, 例如金属互联线的成型就需要在400～450℃的高温条件下进行。
因此, 有需要开发一种超低介电常数新材料来满足半导体产业应用。
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