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高质量大尺寸硅外延片批生产技术

成果编号
02752
完成单位
中国电子科技集团公司第55研究所
完成时间
2013年
成熟程度
批量生产阶段
价格
面议
服务产业领域
电子信息
单位类别
中国电科集团系统院所
关注
科技计划 成果形式
新产品
合作方式 参加活动
其他
专利情况
正在申请 ,其中:发明专利 0
已授权专利,其中:发明专利 3

成果简介

综合介绍
  国盛公司在硅外延领域的技术和产品位于国内前列,拥有自主研发的批生产技术和多项技术专利,先后承担了多项国家科技重大专项、国家高技术产业化项目及省市科技攻关等研制任务,“5英寸、6英寸VDMOS功率器件用硅外延片”荣获中国半导体创新产品称号,该项目已获得三项专利。
创新要点
   高质量大尺寸硅外延材料是制作硅高端功率器件和集成电路的关键材料,国盛公司采用的高质量大尺寸硅外延工艺是以SiHCl3为源,通过中频加热的方式进行气相淀积,电阻率和厚度均匀性和重复性均能得到较好的控制。
技术指标
   以SiHCl3为源,通过中频加热的方式进行气相淀积,电阻率和厚度均匀性和重复性均能得到较好的控制。
其他说明

                                    

完成人信息

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