一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术
- 成果编号
- 07276
- 完成单位
- 南京航空航天大学
- 完成时间
- 2010年
- 成熟程度
- 小批量生产阶段
- 价格
- 面议
- 单位类别
- 211系统院所
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新技术、新产品、新材料 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术开发、技术咨询、技术服务 |
|
| 专利情况 | |
未申请专利 |
| 综合介绍 |
|---|
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。 |
| 创新要点 |
该成果的耐温指标国内外领先，技术具有独创性，仅在微电子行业就具有巨大的预期效益。对于国家级项目，可以采用合作研发、共同申报国家项目的形式满足资金投入需求；对于行业需求，则可以采用投入研发资金、技术许可等各种灵活措施。 |
| 技术指标 |
1.纳米硅薄膜的禁带宽度大于2.0eV；2. 纳米硅薄膜的晶化率大于90%；3. 纳米硅薄膜二极管的工作温度不低于300oC，远高于传统的晶体硅二极管150oC的最高工作温度 |
| 其他说明 |
该成果主要面向微电子器件制造行业，如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
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